RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
54
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3222
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link