RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3115
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link