RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.9
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3437
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link