RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3049
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link