RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
54
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
18.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
4207
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link