Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 20.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 54

Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.9 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 29
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 20.8
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 3901

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM