RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
54
Около -238% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
16
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
22.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3906
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link