RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2903
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Mushkin 992008 (997008) 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link