RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2126
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link