Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 54

Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.6 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 36
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 13.7
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 2504

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

Kingston 9905701-011.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

модули RAM