RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2591
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link