RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3147
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link