Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около 32% меньшая задержка

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.1 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 41
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 16.1
Скорость записи, Гб/сек

8.4 13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1578 2870

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB

модули RAM