RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
43
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
11.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1578
1393
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link