RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
72
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2478
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link