RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
72
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2944
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link