RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
3744
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link