RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
72
Около -140% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
11.5
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2462
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link