RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
72
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2227
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link