RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.4
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2046
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link