RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
72
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
56
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
1964
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link