RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
72
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
55
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2185
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link