RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против V-GEN D4H4GS24A8 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
94
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
94
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
1506
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link