RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
64
Около -78% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3169
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link