RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 18.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,256.8 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 64
    Около -129% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    64 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,651.3 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,256.8 left arrow 15.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    837 left arrow 3693

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
модули RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
модули RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
модули RAM