RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3637
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link