RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3592
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link