RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
19.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3920
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link