RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около -83% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2731
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link