RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
64
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3199
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link