RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3573
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link