RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около -167% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
4122
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link