RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3377
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link