RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
64
Около -73% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2808
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Mushkin 991586 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link