RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
64
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2728
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link