RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
64
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
11.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2292
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link