RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
64
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
11.1
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2319
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link