RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link