RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Inmos + 256MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link