RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
64
Около -137% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2409
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link