Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 64

Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 2,256.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

64 35
Скорость чтения, Гб/сек

4,651.3 15.1
Скорость записи, Гб/сек

2,256.8 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

837 2502

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

Kingston 9905711-002.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

Kingston 9965604-027.D00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB

модули RAM

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

модули RAM