RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3026
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link