RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
64
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
51
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
10.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2359
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link