RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2889
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Mushkin 994083 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link