RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2889
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link