RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3606
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link