RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3509
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link