Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 42

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 40
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 13.8
Скорость записи, Гб/сек

6.0 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 2755

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

Kingston 9905702-027.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM