RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3277
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link