RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 42
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.8 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.7 left arrow 6.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.0 left arrow 13.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1396 left arrow 2843

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
модули RAM