Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 42

Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 27
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

6.0 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 2628

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

Kllisre DDR4-8GB 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM