RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3231
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link